貿澤電子（Mouser Electronics）宣布即日起開始備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600V氮化鎵（GaN）功率級產品。作為一款具有創(chuàng)新性的高性能功率級解決方案，LMG3410R070專為滿足電動機應用和電源設計中日益增長的高功率密度需求而設計，廣泛適用于工業(yè)級和消費級電源。該產品的出現(xiàn)標志著氮化鎵技術在電力電子領域的應用向前邁出了重要一步，能夠為高頻率、高功率應用提供更優(yōu)的電流、溫度、電壓以及開關頻率表現(xiàn)。

高性能設計支持高功率密度需求

LMG3410R070 GaN功率級集成了柵極驅動器和可靠保護功能，在低開關損耗的同時大幅提升了整體系統(tǒng)效率。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，LMG3410R070支持更高的電流和更寬的工作頻率范圍，使其成為需要高功率密度和快速開關性能的電動機驅動和電源系統(tǒng)的理想選擇。通過提供低至70m?的導通電阻和600V的工作電壓，LMG3410R070能夠有效地減少多達80%的開關損耗，從而實現(xiàn)更小尺寸、更高效率的系統(tǒng)設計。

此外，LMG3410R070還具備過電流保護、過熱保護、瞬態(tài)過電壓保護等功能，能夠應對更為嚴苛的工作環(huán)境，確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。器件的工作特性包括零共源極電感、可調的壓擺率（25至100 V/ns）以及適合兆赫級作業(yè)的20 ns傳播延遲，極大提升了系統(tǒng)的響應速度。

簡化設計與布局，提高設計靈活性

LMG3410R070的設計小巧，采用8mm × 8mm QFN封裝，能夠在不需要外部保護元件的情況下提供強大的功能支持。這個特點不僅幫助設計人員節(jié)省了空間，還簡化了電路板的設計和布局，從而降低了整體設計復雜度。與其它硅基功率級產品相比，TI的這一氮化鎵解決方案提供了更高的功率密度和更優(yōu)的開關效率，非常適合用于高效拓撲設計，如totem-pole PFC，有助于電源尺寸縮小最多達50%。

推薦搭配應用：與KEMET KC-LINK電容器配合使用

為了進一步提升系統(tǒng)的整體性能，KEMET Electronics的KC-LINK電容器是LMG3410R070的完美搭配。KC-LINK電容器以其極低的有效串聯(lián)電阻（ESR）和熱阻而聞名，能夠承受高頻率和高電壓DC鏈路的應力，滿足快速開關半導體如LMG3410R070的需求。通過這種組合，設計人員能夠實現(xiàn)更高效、更穩(wěn)定的電源解決方案。

適用領域

LMG3410R070 GaN功率級產品適用于多級轉換器、太陽能逆變器、高電壓電池充電器、以及**不間斷電源（UPS）**等多個領域。無論是在需要高功率密度的工業(yè)級電源應用，還是高效電動機驅動系統(tǒng)中，LMG3410R070都能夠提供極具競爭力的性能表現(xiàn)。

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